Produto / Diodo de Alta Tensão
Diodo retificador de alta tensão FP50S 5KV 2.2A 3000ns
Substituição direta para VMI K50S — Número da peça HVC: 22-HVD-SL05. Diodo retificador de alta tensão FP50S 5KV 2.2A 3000ns. Diodo retificador de alta tensão HVC com recuperação ultrarrápida para sistemas de imagem de raios X, laser, eletrostática e médica.
voltagem inversa
5KV
Atual para a frente
2.2
Tempo de recuperação
3000ns
Pacote
Condução axial
Referência cruzada
VMI K50S → 22-HVD-SL05 (5KV 2200 mA 3000ns)
Essa classificação de 5KV / 2200mA corresponde à do VMI K50S (5KV, 2200 mA, 3000ns) na tabela de referência cruzada HVC — substituição direta e compatível em termos de pinagem.
Ver tabela de referência cruzada completa →⚡
Recuperação rápida
Tempo de recuperação reversa de 3000 ns
🛡️
Alta onda
Testado com 1.6 vezes a tensão nominal.
🔋
Vazamento baixo
Corrente reversa de nível µA
???? ️
Junção a 175°C
Operação de alta temperatura
✅
ISO 9001
Fabricação certificada
📦
Semanas 4 6-
Prazo de execução padrão
VISÃO GERAL DO PRODUTO.
Diodo retificador de alta tensão FP50S 5KV 2.2A 3000ns — Diodo retificador de alta tensão HVC projetado como uma fonte secundária confiável para componentes legados da HVCA, EDI, VMI e Sanken. Com classificação de 5KV, este diodo é uma escolha prática para multiplicadores de média tensão, fontes de alimentação de geradores de ozônio e sistemas de controle eletrostático. A capacidade de reversão de 5KV abrange circuitos derivados da rede elétrica de 220V a 380V com margem de segurança completa, e o corpo moldado mantém as distâncias de fuga consistentes em ambientes úmidos. Este diodo de alta corrente de 2.2A foi projetado para os estágios principais de retificação de grandes fontes de alimentação de alta tensão, suportando correntes de carga sustentadas com baixa elevação térmica e um encapsulamento robusto. O tempo de recuperação de 3000ns é adequado para aplicações padrão de frequência da rede elétrica e multiplicadores de baixa frequência, onde a velocidade é menos crítica do que a resistência a surtos e o custo.
Com tensão nominal de 5 kV, corrente direta média de 2.2 A e tempo de recuperação reversa de 3000 ns, este diodo é 100% testado eletricamente com rastreabilidade completa, fabricação certificada ISO 9001 e prazo de entrega de 4 a 6 semanas. Procurando uma referência cruzada? Veja a tabela completa de referência cruzada dos 392 modelos. para substituições de HVCA, EDI, VMI e Sanken.
APLICAÇÕES TÍPICAS.
Fontes de alimentação a laser
Circuitos de carregamento de laser de CO₂ e de estado sólido na classe de 5KV.
Controle eletrostático
Eliminação de estática e fornecimento de precipitadores eletrostáticos.
Suprimentos industriais de alta tensão
Estágios retificadores principais com saída sustentada de 2.2A.
Pesquisa e Instrumentação
Multiplicadores de alta tensão personalizados para sistemas de laboratório e universitários.
FAQ.
Para que serve um diodo de alta tensão de 5KV 2.2A?
Com classificação de 5 kV, este diodo é uma escolha prática para multiplicadores de média tensão, fontes de alimentação para geradores de ozônio e sistemas de controle eletrostático. A capacidade de reversão de 5 kV abrange circuitos derivados da rede elétrica de 220 V a 380 V com margem de segurança completa, e o corpo moldado mantém as distâncias de fuga consistentes em ambientes úmidos. Este diodo de alta corrente de 2.2 A foi projetado para os estágios principais de retificação de grandes fontes de alimentação de alta tensão, suportando correntes de carga sustentadas com baixa elevação térmica e um encapsulamento robusto. As aplicações típicas incluem geradores de raios X, fontes de alimentação para lasers, sistemas eletrostáticos e equipamentos de END (Ensaios Não Destrutivos).
Este diodo pode substituir componentes HVCA, EDI ou VMI?
Os diodos de alta tensão HVC são projetados como substitutos diretos para peças HVCA (Dean Technology), EDI, VMI e Sanken legadas, com dimensões, tensões e correntes nominais idênticas. Consulte a tabela de referência cruzada completa do modelo 392 para encontrar o número de peça específico para você.
Qual é o prazo de entrega e a certificação de qualidade?
As peças padrão são enviadas em 4 a 6 semanas. A fabricação da HVC possui certificação ISO 9001, com testes elétricos 100% realizados, rastreabilidade completa e amostras gratuitas para programas de engenharia qualificados.
DIODOS RELACIONADOS A 5KV.
Emparelhe com capacitores cerâmicos de alta tensão a 5 kV.
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Guias técnicos e referências cruzadas
LEITURA ANEXA.
2026-10-28
Previsão do envelhecimento de capacitores em fontes de alimentação para cura UV
Um componente de 4700 pF a 1 MHz apresenta uma resistência em série equivalente (ESR) de 34 mΩ com tanδ de 0.1% e de 102 mΩ com tanδ de 0.3%, portanto, um aumento de impedância de 20% é um limiar de alerta precoce utilizável. A telemetria de ondulação de banda larga, a temperatura do ponto crítico, a amplitude do gatilho e a diferença de potencial (PD) abaixo de 5 pC detectam a deriva meses antes da interrupção de uma linha UV.
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2026-10-27
Projeto de diodo de fixação para circuitos de disparo de alta tensão de lâmpadas UV
Uma barra de 500 V em um primário de disparo de 12.5 µH atinge um pico de 40 A e armazena 1.6 mJ em 2 µH de fuga. Dimensionar o capacitor de fixação em 2.2 nF para resetar o núcleo em 166 ns, manter V_clamp em 1.1 kV e manter o circuito diodo-capacitor-chave com área inferior a 2 cm².
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2026-10-27
Supressão de surtos por diodo de recuperação rápida em redes de ignição UV
O diodo de proteção recupera 40 A em 50 ns, e 800 A/µs através de 2 µH de fuga correspondem a um pico de 1.6 kV, 1.1 mJ e 1.1 W a 1 kHz. Selecione t_rr abaixo de 50 ns com uma classificação de avalanche, mantenha dV/dt em 18 kV/µs com um circuito snubber Classe I de 2.2 nF e teste o protótipo a 500 MHz.
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2026-10-25
Seleção de capacitores e diodos de amortecimento para drivers de bomba pulsada
Uma indutância de loop de 10 nH armazena 12.5 µJ a 50 A, o que corresponde a 6.25 W a 500 kHz. Um circuito snubber N4700 de 250 nF com um diodo de recuperação rápida de 30 ns limita a tensão acima de 60 V em 10 V em 50 ns, e sua ESR de 30 mΩ custa 1.5 V em vez dos 5 V de um componente de 100 mΩ.
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