Produto / Diodo de Alta Tensão
Diodo retificador de alta tensão 9KV 100mA 250ns
Substituição direta para EDI RP900B — Número da peça HVC: HVD-SLP900B. Diodo retificador de alta tensão de 9 kV, 100 mA e 250 ns. Diodo retificador de alta tensão HVC com recuperação ultrarrápida para sistemas de imagem de raios X, laser, eletrostática e médica.


voltagem inversa
9KV
Atual para a frente
100mA
Tempo de recuperação
250ns
Pacote
Condução axial
Referência cruzada
EDI RP900B → HVD-SLP900B (9KV 100 mA 250ns)
Essa classificação de 9KV / 100mA corresponde à do EDI RP900B (9KV, 100 mA, 250ns) na tabela de referência cruzada HVC — substituição direta e compatível em termos de pinagem.
Ver tabela de referência cruzada completa →⚡
Recuperação rápida
Tempo de recuperação reversa de 250 ns
🛡️
Alta onda
Testado com 1.6 vezes a tensão nominal.
🔋
Vazamento baixo
Corrente reversa de nível µA
???? ️
Junção a 175°C
Operação de alta temperatura
✅
ISO 9001
Fabricação certificada
📦
Semanas 4 6-
Prazo de execução padrão
VISÃO GERAL DO PRODUTO.
Diodo retificador de alta tensão 9KV 100mA 250ns — O diodo retificador de alta tensão HVC foi projetado como uma fonte secundária confiável para componentes legados da HVCA, EDI, VMI e Sanken. A classificação de 9KV coloca este diodo na classe de componentes robustos para geradores de raios X, fontes de alimentação de laser de CO₂ e sistemas de END (Ensaios Não Destrutivos). A tensão reversa de 9KV com a corrente direta especificada é a combinação mais frequentemente utilizada por OEMs (Fabricantes de Equipamentos Originais) médicos e industriais, e se encaixa perfeitamente nos encapsulamentos legados da HVCA/EDI. A classificação de corrente de 100mA cobre a demanda padrão de alimentação de tubos de raios X e lasers — suficiente para carregar rapidamente os multiplicadores, mantendo o tamanho compacto. O tempo de recuperação de 250ns é adequado para aplicações padrão de frequência da rede elétrica e multiplicadores de baixa frequência, onde a velocidade é menos crítica do que a resistência a surtos e o custo.
Com classificação de 9 kV, corrente direta média de 100 mA e recuperação reversa de 250 ns, este diodo é 100% testado eletricamente com rastreabilidade completa, fabricação certificada ISO 9001 e prazo de entrega de 4 a 6 semanas. Procurando uma referência cruzada? Veja a tabela completa de referência cruzada dos 392 modelos. para substituições de HVCA, EDI, VMI e Sanken.
APLICAÇÕES TÍPICAS.
Fontes de alimentação a laser
Circuitos de carregamento de laser de CO₂ e de estado sólido na classe de 9KV.
Controle eletrostático
Eliminação de estática e fornecimento de precipitadores eletrostáticos.
Suprimentos industriais de alta tensão
Estágios retificadores principais com saída sustentada de 100mA.
Pesquisa e Instrumentação
Multiplicadores de alta tensão personalizados para sistemas de laboratório e universitários.
FAQ.
Para que serve um diodo de alta tensão de 9KV e 100mA?
A classificação de 9 kV coloca este diodo na categoria de equipamentos robustos para geradores de raios X, fontes de alimentação de laser de CO₂ e sistemas de END (Ensaios Não Destrutivos). A tensão reversa de 9 kV com a corrente direta especificada é a combinação mais frequentemente utilizada por fabricantes de equipamentos originais (OEMs) dos setores médico e industrial, e se encaixa perfeitamente nos padrões HVCA/EDI legados. A corrente nominal de 100 mA cobre a demanda padrão de tubos de raios X e fontes de alimentação de laser — suficiente para carregar rapidamente os multiplicadores, mantendo o tamanho compacto. As aplicações típicas incluem geradores de raios X, fontes de alimentação de laser, sistemas eletrostáticos e equipamentos de END.
Este diodo pode substituir componentes HVCA, EDI ou VMI?
Os diodos de alta tensão HVC são projetados como substitutos diretos para peças HVCA (Dean Technology), EDI, VMI e Sanken legadas, com dimensões, tensões e correntes nominais idênticas. Consulte a tabela de referência cruzada completa do modelo 392 para encontrar o número de peça específico para você.
Qual é o prazo de entrega e a certificação de qualidade?
As peças padrão são enviadas em 4 a 6 semanas. A fabricação da HVC possui certificação ISO 9001, com testes elétricos 100% realizados, rastreabilidade completa e amostras gratuitas para programas de engenharia qualificados.
DIODOS RELACIONADOS A 9KV.
Emparelhe com capacitores cerâmicos de alta tensão a 9 kV.
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Guias técnicos e referências cruzadas
LEITURA ANEXA.
2026-10-28
Previsão do envelhecimento de capacitores em fontes de alimentação para cura UV
Um componente de 4700 pF a 1 MHz apresenta uma resistência em série equivalente (ESR) de 34 mΩ com tanδ de 0.1% e de 102 mΩ com tanδ de 0.3%, portanto, um aumento de impedância de 20% é um limiar de alerta precoce utilizável. A telemetria de ondulação de banda larga, a temperatura do ponto crítico, a amplitude do gatilho e a diferença de potencial (PD) abaixo de 5 pC detectam a deriva meses antes da interrupção de uma linha UV.
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2026-10-27
Projeto de diodo de fixação para circuitos de disparo de alta tensão de lâmpadas UV
Uma barra de 500 V em um primário de disparo de 12.5 µH atinge um pico de 40 A e armazena 1.6 mJ em 2 µH de fuga. Dimensionar o capacitor de fixação em 2.2 nF para resetar o núcleo em 166 ns, manter V_clamp em 1.1 kV e manter o circuito diodo-capacitor-chave com área inferior a 2 cm².
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2026-10-27
Supressão de surtos por diodo de recuperação rápida em redes de ignição UV
O diodo de proteção recupera 40 A em 50 ns, e 800 A/µs através de 2 µH de fuga correspondem a um pico de 1.6 kV, 1.1 mJ e 1.1 W a 1 kHz. Selecione t_rr abaixo de 50 ns com uma classificação de avalanche, mantenha dV/dt em 18 kV/µs com um circuito snubber Classe I de 2.2 nF e teste o protótipo a 500 MHz.
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2026-10-25
Seleção de capacitores e diodos de amortecimento para drivers de bomba pulsada
Uma indutância de loop de 10 nH armazena 12.5 µJ a 50 A, o que corresponde a 6.25 W a 500 kHz. Um circuito snubber N4700 de 250 nF com um diodo de recuperação rápida de 30 ns limita a tensão acima de 60 V em 10 V em 50 ns, e sua ESR de 30 mΩ custa 1.5 V em vez dos 5 V de um componente de 100 mΩ.
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